产品中心

Product Center

手动 快速退火炉RTP

FE-820 M/V/RV/R

Preview

最大处理工艺片尺寸

升温速率

降温速率

温度控制重复性

温度控制精确度

升温速率

配置一：TC热电偶控制

实时工艺曲线，图像界面，软件独特的APIDAdvanced PID扩展和增强的控制算法(具有更多的调节策略和额外的控制逻辑)，使得温度控制非常精确和重复，保证了极高的片间一致性

在100℃~800℃温度范围，采用接触式K型热电偶来进行晶片温度的测量

保证温度测量的精确性、稳定性和重复性

金属腔体冷壁设计，采用特殊的微粒喷砂散射金镀层，保证了整个腔体内加热的均匀性。

业界标杆的红外卤素灯及ZONE(区域分组控制以便调节均匀性)

上下共21根红外卤素灯(1200W/根，灯满负荷开寿命2400小时，正常工艺可以使用10年以上)

6个区域(ZONE)控制

适合化合物半导体等敏感工艺要求

PowerSun功能:可以设置容差范围，检测任何原因使得相同recipe、相同的Wafer(晶圆)软件控制所加的交流电功率(或能量)发生漂移，及时发现设备的不良状态引起的工艺不重复，减少废片率。

PowerSun可以作为FDC功能的重要参数，从而保证了每一片晶圆在稳定的氛围下进行工艺，保证工艺的重复、稳定

各种安全措施的传感器:烟雾报警，漏水报警，进水压力过高报警，回水压力过高报警，冷却空气压力过低报警。工艺条件不满足自动关闭危险气体的MFC(质量流量计)

新增加了recipe Al自动调试的专家系统功能，方便客户优化recipe的微调控制参数，提高设备的温度控制性能，以便得到最优的工艺结果

配置二：PYROMETER(高温计)控制

实时工艺曲线，图像界面，软件独特的APIDAdvanced PID扩展和增强的控制算法(具有更多的调节策略和额外的控制逻辑)，使得温度控制非常精确和重复，保证了极高的片间一致性

在100℃~800℃温度范围，采用接触式K型热电偶来进行晶片温度测量

保证温度测量的精确性、稳定性和重复性

在400℃-1250℃温度范围，使用非接触式的红外高温计(ERP Pyrometer)来进行晶片温度的测量，具有快速响应、使用寿命长的特点

金属腔体冷壁设计，采用特殊的微粒喷砂散射金镀层，保证了整个腔体内加热的均匀性。

业界标杆的红外卤素灯及ZONE(区域分组控制以便调节均匀性)

上下共21根红外卤素灯(1200W/根，灯满负荷开寿命2400小时，正常工艺可以使用10年以上)

6个区域(ZONE)控制

适合化合物半导体等敏感工艺要求

PowerSun功能:可以设置容差范围，检测任何原因使得相同recipe、相同的Wafer(晶圆)软件控制所加的交流电功率(或能量)发生漂移，及时发现设备的不良状态引起的工艺不重复，减少废片率。

PowerSun可以作为FDC功能的重要参数，从而保证了每一片晶圆在稳定的氛围下进行工艺，保证工艺的重复、稳定

新增加了recipe Al自动调试的专家系统功能，方便客户优化recipe的微调控制参数，提高设备的温度控制性能，以便得到最优的工艺结果

各种安全措施的传感器:烟雾报警，漏水报警，进水压力过高报警，回水压力过高报警，冷却空气压力过低报警。工艺条件不满足自动关闭危险气体的MFC(质量流量计)