RTP 快速热处理设备FE-610M

升温速度:10~100℃/sec(可编程)

降温速度:10~100℃/sec(可编程)

温度控制重复性:±1℃

温度控制精确度:±1℃

最大处理工艺片尺寸:6寸,兼容~6寸以内的工艺片以及碎片

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磁控溅射设备

FE-4450


射频等离子去胶或底膜设备FE-105R


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820R.png

RTP 快速热处理设备FE-820R


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射频等离子去胶或底膜设备FE-B3000


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产品展示

RTP 快速热处理设备FE-820

升温速度:10~200℃/sec(可编程)

降温速度:10~150℃/sec(可编程)

温度控制重复性:±1℃

温度控制精确度:±1℃

最大处理工艺片尺寸:8寸,兼容~8寸以内的工艺片以及碎片

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III-V.png

III-V

GaN/SiC

MEMS

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主要应用领域

产品中心

快速退火炉

等离子干法刻蚀设备

磁控溅射设备

等离子去胶/底膜设备